Интегральные схемы на карбиде кремния сохранили линейную передачу тока после облучения и при нагреве до 180 °C. Однако для устойчивой работы им потребовалось более высокое напряжение питания.
В одном типе токового зеркала минимальное измеренное напряжение выросло с 7,5 до 10,5 вольта после воздействия протонов при комнатной температуре. При нагреве уже обработанной схемы до 180 °C порог снизился до 9,5 вольта.
Коэффициенты детерминации передачи тока во всех заявленных режимах составили от 0,99943 до 0,999996. Это показывает линейность в исследованном диапазоне, но не отменяет сдвигов порогового напряжения и дополнительных требований к питанию.
Предварительный отжиг в водороде изменил результат: таким устройствам потребовалось 12,0 вольта при комнатной температуре и 10,5 вольта при 180 °C. История обработки оказалась значимым параметром схемы.
Результат полезен для электроники, работающей при высокой температуре и радиационной нагрузке. Авторы подчёркивают, что нагрев лишь частично улучшил рабочий запас и не доказал удаление вызванных излучением дефектов.
Пока никто не ответил. Начните обсуждение.